實驗內容及相關科目：

• 觀察會聚偏振光經過LiNbO3晶體後形成的干涉圖形，比較不同電壓條件下的差異，理解單軸晶體與雙軸晶體的區別。
• 觀察在不同電壓條件下的輸出光的偏振態，理解泡克耳斯效應的作用機理。
• 測量半波電壓，確定Δn與E的線性關係，繪出光的調製曲線。
• 用正弦電信號對晶體進行調製，實現電信號的光傳輸，理解工作點對調製、傳輸過程的影響。
• 外加音訊信號，實驗音訊信號的光傳輸以重現，了解光通訊中信號外調製的原理和方法。

儀器特點：

• 採用半導體雷射器作為光源（650nm，4mW）。
• 晶體的通光面積為5×5mm2。
• 最大驅動電壓Vmax≥1600V使現象更加清晰、完整。
• 可觀察在電場作用下LN晶體由一個單軸晶體變化為雙軸晶體的過程，干涉圖樣完整、清晰。